摘要: 本应用笔记讨论了使用MAX17291设计用于RS485接口等工业应用的低功率反激隔离电源。小功率隔离电源广泛应用于工业、辅助或隔离电源等领域。
反激变换器广泛应用于隔离DC/DC应用,因为与其他隔离拓扑相比,它们相对简单且成本低。RS485,隔离式CAN收发器,辅助电源等是低功耗反激拓扑的一些应用。采用隔离电压为3.75kV的MAX17291升压变换器可以设计反激变换器。
MAX17291是一款低静态电流升压(升压)DC-DC转换器,具有1A峰值电感限流和真关断 。真关断断开输出和输入,没有正向或反向电流。输出电压由外部电阻分压器设置。MAX17291是一款高度集成的升压转换器,专为需要高电压和微小解决方案尺寸的应用而设计,例如传感器模块。它集成了电源开关、功率二极管和输出负载开关。
特性 | 表演 |
| 图1所示。效率图。 |
图2、MAX17291升压转换器的应用电路
参数 | 价值 |
输入电压 | 4.5V至5.5V |
输出电压 | 5.0 v |
输出电流 | 300毫安最大 |
隔离电压 | 3.75kV (IEC 60950-1,增强绝缘) |
反激变换器的工作原理类似于升压变换器,但有一个额外的变压器来实现电流隔离。输出电压可以通过改变变压器的匝数比来调节。图3说明了一个典型的反激变换器。
图3、回程转换器
反激变换器的工作原理分为两种状态。
当开关Q1接通时,输入电压出现在变压器的初级电压上,电流开始流过变压器的初级电压。变压器绕组的极性是这样一种方式,负电压出现在输出二极管的阳极。在这种状态下,它变成反向偏置并阻挡通过二次电路的电流。
因此,整个能量存储在初级电感中,而不是将能量转移到次级电感中。因此,这个变压器是一个耦合电感。
Q1为ON时电感电流的增量计算为:
V(l) = V(in) = l × i (l) /?T
i (l) = v (in) × t (on)/ l
i (l) = v (in) × d × t (s) / l…(1)
地点:
I(L)是电感电流的变化量
V(IN)为输入电压
T(S)是切换时间
D是占空比
L是变压器的初级电感
当开关Q1接通时,输出电容在稳态工作状态下向负载提供电流。
在ON时间结束时,当开关Q1变为OFF时,初级绕组的极性反转,因此次级绕组的极性也反转。储存在一次侧的能量被转移到二次侧。二极管D1开始导通,电流流向输出电容C(OUT)和负载。在此期间电感电流减小,表示为:
i (l) = v (out) × n1 / n2 × t (off)/ l
?我(L) = V(出)×N1、N2×(1 - D)×T (S) / L…(2)
穿过Q1的电压等于Q1 OFF期间的输入电压、二次反射电压和漏感电压。
V(q1) = V(in) + n1 / n2 × V(out) + V(leak)…(3)
式中V(LEAK)为漏感电压。
稳态工作时,电感电流在一个开关周期内的变化量必须等于零,输出电压为:
V(out) = d / 1-d × n2 / n1× V(in)
D = v (out) / v (out) + (n2 / n1) × v (in)…(4)
MAX17291是一个升压转换器IC,它有一个内部的MOSFET和控制电路。图4展示了使用MAX17291 IC的反激变换器。
图4、反激变换器采用MAX17291
本设计的MOSFET位于IC内部。二次侧的反射电压用于设计变压器。MAX17291 IC中MOSFET的漏源电压额定值为20V。当MOSFET Q1关断时,MOSFET Q1上的电压由公式3给出。
V(ds) = V(in) + vref + V(leak)
由于次级绕组的作用,初级绕组上的反射电压为:
Vref = 0.8 × v (ds) - v (in) - v (leak)
Vref = 0.8 × 20 - 5 - 5 = 6v…(5)
地点:
VREF是通过初级绕组的反射电压。
V(DS)是MOSFET的最大漏极对源电压额定值。
V(IN)为输入电压。
V(LEAK)是由于漏感引起的电压尖峰。
变压器匝数比计算为:
Vref = (v (out) + v (f)) × n1 / n2
地点:
V(OUT)为输出电压。
V(F)为二极管正向压降。
N1/N2为变压器匝数比。
N1、N2 = VREF / V(出)+ V (F) = 6/5 + 0.5 = 1.09…(6)
反激变换器的占空比由式4的V(OUT)表达式计算。
D = 5 + 0.5/(5 + 0.5) + 1.09 × 4.5 = 0.55…(7)
MAX17291 IC的峰值电流极限为1A,考虑电流纹波为电感峰值电流的50%,则最大输出电流计算为:
我(在)= (LPK)我(LPK - PK) / 2 = / (1 - D)×N2 / N1…(8)
MAX17291 IC工作在固定OFF时间,在1MHz开关频率的CCM模式下工作。OFF时间是根据输入电压和IC的OUT引脚上的电压(升压转换器的输出电压)计算的。OFF时间与V(OUT)成反比。因此,在OUT引脚和地之间需要一个虚电阻,以保持电压在范围内,开关频率在1mhz到1.5MHz之间。
变压器的电感值计算为:
L = V(在)××D T (S) / ?我(L) = 4.5×0.55/0.5×1×10(6)= 4.95µH…(9)
采用光耦合器和TL431电路进行输出电压反馈传感和控制,实现更严格的输出电压调节。它们还用于实现主回路和次级回路之间的隔离。根据测量到的输出电压,光耦驱动IC的FB引脚,并随着负载和线路的变化调节输出电压。图5显示了带有光耦反馈的MAX17291反激变换器的原理图。
二极管正向偏置,输出电流在Q2关断时间内流经二极管到输出电容和负载。本设计的最大输出电流为300mA。
二次侧的二极管在Q1 ON时反向偏置。在最大输入电压条件下,二极管两端的最大电压为:
V(d) = V(out) + n2 / n1 × V(in)
V(d) = 5 + 1.09 × 5.5 = 10.995v
因此,选择反向额定电压大于10.5V,平均额定电流约1A的二极管。选择肖特基二极管,在高频操作期间耗散较少的功率,因为转换器在高频切换,并在CCM模式下从中负载到满负荷工作。
图5、使用MAX17291的反激变换器原理图
反激变换器测试数据
V (V) | 我(在)(mA) | V(出)(V) | 我 (马) | V(输出错误)(%) | 效率(%) |
5.0 | 26.6 | 5.07 | 空载 | 1.4 | - |
5.0 | 35.4 | 5.07 | 5.1 | 1.4 | 14.5 |
5.0 | 64.5 | 5.07 | 25.0 | 1.4 | 39.3 |
5.0 | 97.3 | 5.07 | 50.4 | 1.4 | 52.5 |
5.0 | 129.8 | 5.06 | 75.3 | 1.3 | 58.8 |
5.0 | 161.6 | 5.06 | 100.2 | 1.3 | 62.8 |
5.0 | 228.6 | 5.06 | 150.5 | 1.3 | 66.7 |
5.0 | 300.8 | 5.07 | 200.8 | 1.3 | 67.6 |
5.0 | 378.9 | 5.07 | 250.5 | 1.3 | 66.9 |
5.0 | 464.3 | 5.07 | 301.1 | 1.3 | 65.7 |
图6、V(IN) = 5V, V(OUT) = 5V时的效率图
图7、V(IN) = 5V, V(OUT) = 5V, I(OUT) = 300mA时的负载调节图
图8、稳态工作在V(IN) = 5V, V(OUT) = 5V, I(OUT) = 300mA
图9、在V(IN) = 5V, V(OUT) = 5V, I(OUT) = 1至300mA时负载暂态
V(OUT)降为98mV(1.96%)。
沉降时间为608us。
图10、输出电压纹波V(IN) = 5V, V(OUT) = 5V, I(OUT) = 300mA
输出电压纹波为76mV(1.52%)。
项 | REF DES | 数量 | 描述 |
1 | C1, C2 | 2 | 10uF 10% 10V X7R陶瓷电容器(0805)村田GRM21BR71A106KA73 |
2 | C3 | 1 | 1uF 10% 25V X7R陶瓷电容器(0805)三星CL21B105KAFNNNE |
3. | C4 | 1 | 2.2uF 10% 25V X7R陶瓷电容器(0805)三星CL21B225KAFNNNE |
4 | C5 | 1 | 0.1uF 10% 25V X7R陶瓷电容器(0805)村田GRM188R71E104KA01 |
5 | C8 | 1 | 10nF 10% 25V X7R陶瓷电容器(1206)Kemet C1206C103K5RACTU |
6 | C11、C15 | 1 | 10uF 10% 16V X7R陶瓷电容器(0805)三星CL21B106KOQNNNE |
7 | C13 | 1 | 0.22uF 10% 50V X7R陶瓷电容器(0805)村田GRM21BR71H224KA01 |
9 | C16 | 1 | 3300pF 10% 250V X7R陶瓷电容器(2220)Vishay vj2220y332kxstx1 |
10 | D1 | 1 | 30V 200mA小信号肖特基二极管(SOD-323) BAT54H |
11 | D2, D4 | 2 | 肖特基二极管SMB B1100LB-13-F |
12 | R1 | 1 | 100kO 1%电阻(0805) |
13 | R11 | 1 | 4.7kO 1%电阻器(0805) |
14 | R4 r8 r18 r5 | 4 | 1%电阻器(0805) |
15 | R6 | 1 | 1kO 1%电阻器(0805) |
16 | R7 | 1 | 1kO 1%电阻器(2512) |
17 | R10 | 1 | 100个1%电阻(0805) |
18 | R12-R13 | 2 | 2kO 1%电阻器(0805) |
19 | R14-R15 | 2 | 20KO 1%电阻器(0805) |
20. | T1 | 1 | 变压器;1:1;革命制度党:2.5 - 5 v;1 mhz;750344566 |
21 | U1 | 1 | MAX17291ATA + TDFN8-EP |
22 | U2 | 1 | Tlp185 (se) IC光耦合器so6-4 |
23 | U3 | 1 | TL431AIDBZ IC;精密可编程基准;SOT23-3 |
本应用笔记讨论了使用MAX17291集成升压转换器IC设计隔离反激变换器的步骤,并讨论了元件的选择和变压器的设计过程。
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