onsemi NVBG070N120M3S碳化硅(SiC) MOSFET是一款1200V M3S平面精英MOSFET，专为快速开关应用而设计。该MOSFET在18V栅极驱动下提供最佳性能，但在15V栅极驱动下也能很好地工作。NVBG070N120M3S SiC MOSFET具有57nC超低栅极电荷，57pF低电容高速开关，65毫欧典型漏源导通电阻为V(GS)=18V。该MOSFET经过100% Avalanche测试，AEC-Q101合格，并且具有PPAP功能。NVBG070N120M3S SiC MOSFET采用D2PAK-7L封装，无铅2LI(二级互连)，符合RoHS标准(豁免7a)。典型的应用包括汽车车载充电器和用于EV/HEV的DC/DC转换器。