摘要: onsemi的FGY100T120RWD和FGY75T120SWD采用新颖的场阻第七代(FS7) IGBT技术和TP247三引脚封装的Gen7二极管。
Onsemi的FGY100T120RWD和FGY75T120SWD采用新颖的第7代现场停止IGBT技术和TP247三引脚封装的第7代二极管。FGY100T120RWD 100a沟槽场停止VII (FS7)分立IGBT具有最佳性能,低传导损耗和良好的开关可控性,可在电机控制,UPS,数据中心和大功率开关等各种应用中高效运行。
FGY75T120SWD 75a FS7分立IGBT具有最佳性能,低开关和导通损耗,可在太阳能、UPS和储能系统(ESS)等应用中实现高效运行。
V(ces): 1200v
最高结温(T(J)) = +175℃
正温度系数
通过无铅认证
FGY100T120RWD
低导通损耗和优化开关
100%的零件进行动态测试
短路额定
FGY75T120SWD
低开关损耗
平滑优化切换
应用程序
FGY100T120RWD
电机控制
联合包裹
数据中心
需要大功率开关的一般应用
FGY75T120SWD
太阳能系统中的升压和逆变器
联合包裹
ESS
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308