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FGY100T120RWD / FGY75T120SWD igbt的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2023-10-17

摘要: onsemi的FGY100T120RWD和FGY75T120SWD采用新颖的场阻第七代(FS7) IGBT技术和TP247三引脚封装的Gen7二极管。


Onsemi的FGY100T120RWD

Onsemi的FGY100T120RWD和FGY75T120SWD采用新颖的第7代现场停止IGBT技术和TP247三引脚封装的第7代二极管。FGY100T120RWD 100a沟槽场停止VII (FS7)分立IGBT具有最佳性能,低传导损耗和良好的开关可控性,可在电机控制,UPS,数据中心和大功率开关等各种应用中高效运行。


FGY75T120SWD 75a FS7分立IGBT具有最佳性能,低开关和导通损耗,可在太阳能、UPS和储能系统(ESS)等应用中实现高效运行。


特性
  • V(ces): 1200v

  • 最高结温(T(J)) = +175℃

  • 正温度系数

  • 通过无铅认证

  • FGY100T120RWD

    • 低导通损耗和优化开关

    • 100%的零件进行动态测试

    • 短路额定

  • FGY75T120SWD

    • 低开关损耗

    • 平滑优化切换


应用程序

  • FGY100T120RWD

    • 电机控制

    • 联合包裹

    • 数据中心

    • 需要大功率开关的一般应用

  • FGY75T120SWD

    • 太阳能系统中的升压和逆变器

    • 联合包裹

    • ESS

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