NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-10-17

摘要： onsemi的NTH4L040N120M3S和NTHL022N120M3S在使用18 V栅极驱动器驱动时提供最佳性能，但也可以使用15 V栅极驱动器。

Onsemi的碳化硅(SiC) MOSFET系列

Onsemi的碳化硅(SiC) MOSFET系列，1200 V M3S平面EliteSiC和SiC MOSFET针对快速开关应用进行了优化。平面技术可靠地与负栅极电压驱动和关闭栅极上的尖峰。这种EliteSiC和SiC系列在使用18v栅极驱动器驱动时提供最佳性能，但也可以很好地使用15v栅极驱动器。

特性

NTH4L040N120M3S

Typ。R(DS(on)) = 40 m @ V(GS) = 18 V
超低栅极电荷(Q(G(t)) = 75 nC)
低电容高速开关(C(损耗)= 80pf)
100%雪崩测试
无卤化物和符合RoHS豁免7(a)，无Pb -二级互连(2LI)

储能系统
开关电源(SMPS)

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：工业USB到串行适配器与LED活动的介绍、特性、及应用

下一篇：NCV84045单通道高速驱动器的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

华强商城公众号

华强商城M站

芯八哥公众号

华强微电子公众号

华强电子网公众号

NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC mosfet的介绍、特性、及应用