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摘要： 漏源电压为-30V，栅源电压为±25V, tc =25℃时功耗为30W。
PANJIT PJQ5839E-AU双p通道增强模式MOSFET是一款坚固耐用的MOSFET，漏源电压为-30V，栅极电压为±25V，功耗为30W，温度为25°C。该MOSFET还具有-31A连续漏极电流(@T(C)=25°C)， 60°C/W热阻(结对环境)和-55°C至175°C结工作温度范围。PJQ5839E-AU通过AEC-Q101认证，100%美国测试，无铅符合欧盟RoHS 2.0。
-30V漏源电压
±25V栅源电压
30W功耗(T(C)=25℃)
-31A连续漏极电流
可靠且坚固耐用
100%美国测试
AEC-Q101合格
无铅，符合欧盟RoHS 2.0
符合IEC 61249标准的绿色成型化合物
符合MIL-STD-750的可焊端子，方法2026
DFN5060B-8L包
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