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PANJIT PJDX0P03E MOSFET

PJDx0P03E-AU p沟道增强模式mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-11-07

摘要： 漏源电压为-30V，栅源电压为±25V, tc =25℃时功耗为3W。

PANJIT PJDx0P03E-AU p沟道增强模式mosfet

PANJIT PJDx0P03E-AU p沟道增强模式mosfet是坚固可靠的mosfet，漏源电压为-30V，栅极电压为±25V，在t (C)=25°C时功耗为3W。这些mosfet具有50°C/W结，环境热阻，-55°C至175°C工作温度范围和-2.5V最大门阈值电压。PJDx0P03E-AU mosfet通过AEC-Q101认证，100%美国测试，无铅符合欧盟RoHS 2.0。

特性

-30V漏源电压
±25V栅源电压
3W功耗@T(C)=25℃
50°C/W结对环境热阻
工作温度范围-55℃~ 175℃
-2.5V最大门阈值电压
100%美国测试
可靠且坚固耐用

AEC-Q101合格
TO-252AA箱包装
无铅，符合欧盟RoHS 2.0
符合IEC 61249标准的绿色成型化合物
可焊接端子符合MIL-STD-750，方法2026

对区域特征

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