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摘要： 用于驱动高侧和低侧n沟道mosfet的高压栅极驱动器。
德州仪器LM2103半桥驱动器是一款紧凑的高压栅极驱动器，用于驱动半桥或同步降压配置的高侧和低侧n沟道mosfet。INL反相输入允许驱动器用于双或单PWM输入应用。
固定的死区时间以及SH引脚上的-1V直流和-19.5V瞬态负电压处理提高了系统在高噪声应用中的鲁棒性。德州仪器LM2103提供8引脚SOIC封装，与工业标准引脚兼容。低侧和高侧电源轨均设有欠压锁定(UVLO)，用于上下电过程中的保护。
以半桥结构驱动两个n沟道mosfet
GVDD上典型的8V欠压闭锁
BST绝对最大电压107V
-19.5V绝对最大负瞬态电压处理SH
0.5A/0.8A峰值源/汇电流
典型的固定内部死区时间为475ns
内置防交叉传导
典型传播延迟115ns
反相输入引脚INL
无刷直流(BLDC)电机
永磁同步电动机(PMSM)
伺服和步进电机驱动
无绳吸尘器
无线花园和电动工具
电动自行车和电动滑板车
电池测试设备
离线不间断电源(UPS)
通用MOSFET或IGBT驱动
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