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摘要： Goford Semiconductor的GS65R060Q4 SiC MOSFET具有紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。
Goford半导体的碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种创新技术，与硅相比，它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。因此，系统的优势包括高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
特性
低电容高速开关
高阻断电压低R(DS(ON))
优化封装与单独的驱动源引脚
易于并联和简单的驱动
通过无铅认证
无卤
应用程序
电动马达驱动
直流/直流转换器
开关电源
功率因数校正模块
太阳能光伏逆变器
交叉PFC
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