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摘要： 具有低RDS(on)，确保高效的电源管理。
Onsemi NTBLS1D5N10MC单n沟道MOSFET具有低R(DS(on))，确保高效的电源管理。onsemi NTBLS1D5N10MC具有低Q(G)和电容，通过减少充电/放电时间来提高性能。该MOSFET显著降低了开关噪声和电磁干扰(EMI)，有助于提供更清洁的信号环境。
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
降低开关噪声/EMI
这些设备不含铅，符合rohs标准
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