MCUxxN06YHE3-TP 60 V n沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-11-28

摘要： MCC的自动级AEC-Q101合格mosfet具有低4.8 毫欧导通电阻，可确保最佳功率流，同时显着降低功率损耗。

mosfet

MCC的mc75n06yhe3 - tp、MCG60N06YHE3-TP和MCAC65N06YHE3-TP 60 V n沟道mosfet采用分栅沟槽(SGT)技术。它们提供了最佳的性能、效率和热管理，使其成为一系列苛刻的汽车应用的明智选择。导通电阻低至4.8 毫欧，这些AEC-Q101合格的mosfet保证了最佳的功率流，同时显着降低了功率损耗。

DFN333、DFN5060和DPAK封装选项实现了设计的灵活性和与各种汽车系统的兼容性。

特点和优点

SGT MOSFET技术
AEC-Q101合格
卓越的性能和功能
最优潮流
减少功率损耗

门锁
照明系统
室内LED照明
外部LED照明

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