电子元器件产业互联网平台
电子元器件产业互联网平台
一站式电子元器件采购平台
元器件移动商城，随时随地采购
半导体行业观察第一站！
专注电子产业链，
坚持深度原创
电子元器件原材料采购
信息平台
摘要： 具有两个3毫欧或4毫欧 1200V SiC MOSFET开关和一个带有HPS DBC或Si3N4 DBC的热敏电阻。
onsemi NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC半桥模块是2包模块，具有两个3毫欧或4毫欧 1200V SiC MOSFET开关和一个带有氧化锆掺杂氧化铝(HPS)直接键合铜(DBC)或氮化硅(Si3N4) DBC的热敏电阻。F2封装Sic MOSFET开关采用M3S技术，具有15V至18V栅极驱动范围。应用包括DC-AC、DC-DC和AC-DC转换。
3毫欧或4毫欧， 1200V M3S SiC MOSFET半桥
F2包选项
氧化锆掺杂氧化铝(HPS)直接结合铜(DBC)
氮化硅(Si3N4)直键铜(DBC)
15V至18V栅极驱动范围
热敏电阻
预涂热界面材料(TIM)
压配合针
无铅，无卤化物，符合RoHS标准
太阳能逆变器
不间断电源(UPS)
电动汽车充电站
工业强国
EliteSiC, 3毫欧 SiC M3 MOSFET, 1200V, 2包半桥拓扑
NXH003P120M3F2PTHG, F2封装带HPS DBC
NXH003P120M3F2PTNG, F2封装，带Si3N4 DBC
EliteSiC, 4毫欧 SiC M3 MOSFET, 1200V, 2包半桥拓扑
NXH004P120M3F2PTHG, F2封装带HPS DBC
NXH004P120M3F2PTNG, F2封装，带Si3N4 DBC
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证：粤B2-20210308
