MCC的汽车级功率mosfet高效、可靠，专为在最苛刻的应用中提供出色的性能而设计。从40 V到100 V，这些n沟道和p沟道功率mosfet通过了AEC-Q101认证，具有PPAP能力，并且具有卓越的记录。通过利用两种创新的MOSFET技术-沟槽和分栅沟槽-这些产品提供了无与伦比的灵活性和广泛的优势。

MCC的沟槽功率低压(LV) mosfet，即MCG30N04HE3-TP和MCG35N04HE3-TP，提供低导通电阻和精确的场分布。更大的栅极表面确保了卓越的功率处理和优化的开关性能，使这些产品成为各种汽车系统的理想选择，从EPS到照明等。

MCC的分栅沟槽(SGT) mosfet，包括MCG40N10YHE3-TP, MCAC80P06YHE3-TP和MCG15P10YHE3-TP，提供低导通电阻，增强对电场分布的控制，以及在高开关应用中的卓越性能。SGT设计特别适合用于汽车电源、DC/DC转换器、其他关键汽车功能和工业用途中的高压器件。

这些产品采用DFN3333和DFN5060封装，提供卓越的散热性能，同时提供紧凑设计选项，以节省空间并降低总体BOM成本。