摘要: 具有低栅极电荷的快速电源开关,并符合RoHS标准。
台积电TSM N沟道和p沟道mosfet符合RoHS标准,具有低栅极费用,可实现快速功率开关。这些mosfet是无卤素的,100%通过了UIS和R(g)测试。TSM N沟道和p沟道mosfet工作在-55°C至150°C结温范围内。这些mosfet非常适合用于负载开关电源管理、便携式设备、DC-DC转换器和电源路由。
低栅极电荷,实现快速功率开关
通过无铅认证
无卤
-55°C至150°C工作结和存储温度范围
负荷开关
电源管理
便携式设备
直流-直流转换器
功率路由
马达驱动器
建筑技术
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