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台积电TSM N & p沟道mosfet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2023-12-01

摘要: 具有低栅极电荷的快速电源开关,并符合RoHS标准。

台积电TSM N沟道和p沟道mosfet符合RoHS标准,具有低栅极费用,可实现快速功率开关。这些mosfet是无卤素的,100%通过了UIS和R(g)测试。TSM N沟道和p沟道mosfet工作在-55°C至150°C结温范围内。这些mosfet非常适合用于负载开关电源管理、便携式设备、DC-DC转换器和电源路由。


特性

  • 低栅极电荷,实现快速功率开关

  • 通过无铅认证

  • 无卤

  • -55°C至150°C工作结和存储温度范围


应用程序

  • 负荷开关

  • 电源管理

  • 便携式设备

  • 直流-直流转换器

  • 功率路由

  • 马达驱动器

  • 建筑技术

  • 直流风扇

  • 刷粉丝

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