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摘要： 设计为紧凑和高效的设计，包括高热性能。
onsemi NTMFD5C672NL双n沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计，包括高热性能。该MOSFET具有低R(DS(on))，低QG和电容，60V漏极到源电压，146A脉冲漏极电流，工作结温范围为-55°C至175°C。NTMFD5C672NL双n沟道功率MOSFET不含铅、卤素/BFR，并符合RoHS标准。典型应用包括电机控制、电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器和h桥)、同步DC到DC稳压器以及电池管理和保护。
占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
60V漏源电压
-55°C至175°C工作结和存储温度范围
2.2V门阈值电压
±20V栅源电压
146A脉冲漏电流
Pb-free
卤素/ BFR免费
通过无铅认证
电机控制
电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥)
同步直流到直流稳压器
电池管理与保护
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