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摘要： 设计用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。
onsemi MMUN2231L NPN双极数字晶体管设计用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)由一个单晶体管和一个单片偏置网络组成。该BRT由两个电阻组成，一个串联基极电阻(2.2k欧姆)和一个基极-发射极电阻(2.2k欧姆)，并将它们集成到单个器件中。BRT减少了元件数量和电路板空间，简化了电路设计。该BRT通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。BRT不含铅和卤素/溴化阻燃剂，符合RoHS标准。典型应用包括反向电池保护，DC-DC转换器输出驱动和高速开关。
简化电路设计
减少电路板空间
减少组件数量
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
不含铅和卤素/BFR
通过无铅认证
2.2k欧姆输入电阻
100mA(DC)集电极电流
10V(直流)输入反向电压
12V(DC)输入正向电压
50V(DC)集电极(V(CBO))和集电极-发射极(V(CEO))电压
电池反保护
DC-DC变换器输出驱动器
高速开关
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