一站式电子元器件采购平台

华强商城公众号

一站式电子元器件采购平台

元器件移动商城,随时随地采购

华强商城M站

元器件移动商城,随时随地采购

半导体行业观察第一站!

芯八哥公众号

半导体行业观察第一站!

专注电子产业链,坚持深度原创

华强微电子公众号

专注电子产业链,
坚持深度原创

电子元器件原材料采购信息平台

华强电子网公众号

电子元器件原材料采购
信息平台

N沟道和p沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2024-01-15

摘要: YAGEO XSemi的功率mosfet具有低导通电阻和高开关速度,可用于各种应用。




MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种使用金属氧化物栅极的电压控制场效应晶体管。YAGEO XSemi的功率mosfet(也称为功率晶体管)具有低导通电阻和高开关速度,适用于各种应用,包括模拟和数字电路。可用的封装广泛用于商业和工业表面贴装应用。


与bjt不同,mosfet与载流通道是电隔离的,有助于降低器件的功耗。mosfet工作在三个电压区:三极管、饱和和截止。下面的方程式展示了这些区域(点击放大)。




特性
  • 表面贴装封装

  • 符合RoHS标准,无卤素

  • 低栅极电荷

  • +150°C最高工作温度

  • n沟道mosfet

    • 漏源电压20v ~ 700v

    • 高达300a漏极电流,V(GS) @ 10v (4)

  • p沟道场效应管

    • 漏源电压20v ~ 700v

    • 漏极电流高达300a

  • 电信系统

  • 消费电子产品

声明:本文观点仅代表作者本人,不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题,请联系本站修改或删除。

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

调查问卷

请问您是:

您希望看到什么内容: