摘要: 驱动和控制外部背对背n沟道mosfet模拟理想的二极管整流器。
德州仪器LM74722-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背对背n沟道mosfet,以模拟具有电源路径ON和OFF控制和过压保护的理想二极管整流器。3V至65V的宽输入电源允许保护和控制12V和24V汽车电池供电的ecu。该设备可以保护和承受负电源电压低至-65V的负载。集成的理想二极管控制器(GATE)驱动第一个MOSFET,以取代肖特基二极管,用于反向输入保护和输出电压保持。具有快速on和OFF比较器的强大升压调节器可确保在汽车测试期间(例如ISO16750或LV124)稳健高效的MOSFET开关性能,其中ECU受到输入短中断,交流叠加输入信号高达200kHz频率。运行中的德州仪器LM74722-Q1具有35 μ A(最大)的低静态电流,可实现始终开系统设计。在电源通路中有第二个MOSFET,该器件允许使用EN引脚进行负载断开控制。静态电流降低到3.3µA(最大),EN低。使用OV引脚,该器件具有可调过压截止或过压钳保护。
AEC-Q100合格,结果如下
设备温度等级1(环境工作温度范围-40℃~ +125℃)
设备HBM ESD分类等级2
器件CDM ESD分类等级C4B
3V至65V输入范围
反向输入保护低至-65V
工作时低静态电流35µA(最大)
3.3µA(最大)关机电流(EN = Low)
理想的二极管工作与13mV的A到C正向压降调节
驱动外部背靠背n沟道mosfet
集成30mA升压调节器
有源整流高达200kHz
0.5µs快速响应反向电流阻断
0.72µs快进GATE turn ON延迟
可调过电压保护
符合汽车ISO7637瞬态要求,具有合适的TVS二极管
提供节省空间的12引脚WSON封装
汽车电池保护
ADAS域控制器
高级音频放大器
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