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ONSEMI NVBG095N65S3F

onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III型MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-18

摘要： 采用电荷平衡技术的高压超结MOSFET。

onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET是一款采用电荷平衡技术的高压超级结(SJ) MOSFET。这种功率MOSFET提供更少的传导损耗，优越的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET优化了主体二极管的反向恢复性能，从而消除了额外的组件并提高了系统可靠性。该MOSFET是AEC-Q101合格，PPAP能力，无铅，并符合RoHS标准。典型的应用包括汽车车载充电器和用于纯电动汽车的汽车DC/DC转换器。

特性

700v @t (j) = 150°c
典型R(DS(on)) = 78m
超低栅极电荷(典型Q(g) = 66nC)
低有效输出电容(典型C(损耗(eff)) = 597pF)
100%雪崩测试

通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
Pb-free
通过无铅认证

应用程序

车载充电器
电动汽车用DC/DC变换器

典型特征图

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