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摘要： 设计用于驱动半桥结构的高侧和低侧n沟道mosfet。
德州仪器LM2104半桥栅极驱动器设计用于驱动同步降压或半桥配置的高侧和低侧n沟道mosfet。该栅极驱动器在GVDD上具有8V典型欠压闭锁，在BST上具有107V绝对最大电压，在SH上具有-19.5V最大负瞬态电压处理。LM2104驱动器具有475ns典型固定内部死区时间，115ns典型传播延迟和内置交叉传导预防。这款紧凑型高压栅极驱动器采用8引脚SOIC封装，与行业标准引脚兼容。典型的应用包括无刷直流(BLDC)电机、永磁同步电机(PMSM)、伺服/步进电机驱动器、无绳吸尘器、电动自行车、电动滑板车和电池测试设备。
以半桥结构驱动两个n沟道mosfet
GVDD上典型的8V欠压闭锁
典型的固定内部死区时间为475ns
典型传播延迟115ns
-19.5V绝对最大负瞬态电压处理SH
BST绝对最大电压107V
0.5A/0.8A峰值源/汇电流
内置防交叉传导
关闭逻辑输入引脚SD
单输入引脚IN
无刷直流(BLDC)电机
伺服和步进电机驱动
无线花园和电动工具
无绳吸尘器
电池测试设备
电动自行车和电动滑板车
离线不间断电源(UPS)
永磁同步电动机(PMSM)
通用MOSFET或IGBT驱动
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