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ONSEMI NTJD5121N

onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-29

摘要： 具有低RDS(on)，门阈值和输入电容。

onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet具有较低的RDS(on)、栅极阈值和输入电容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101认证和PPAP功能，是汽车应用的理想选择。

特性

低R (DS(上))
低门限
低输入电容
ESD保护栅

NV前缀用于汽车和其他需要独特站点和控制更改要求的应用;通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
Pb-free设备

应用程序

低压负载开关
DC-DC变换器(降压和升压电路)

规范

295A最大连续漏极电流
10V时1.6欧姆和4.5V时2.5欧姆 (DS(ON))最大值
60V漏源电压
±20V栅源电压

900A脉冲漏极电流
-55°C至+150°C工作结和存储温度范围

引出线

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