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VISHAY SIS5700DP

Vishay sis5700dp n通道150V (D-S) MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-31

摘要： TrenchFET Gen V功率MOSFET具有非常低的RDS x Qg品质因数(FOM)。

Vishay SiRS5700DP n通道150V (D-S) MOSFET是TrenchFET Gen V功率MOSFET，具有极低的R(DS) x Q(g)品质因数(FOM)。Vishay SiRS5700DP可优化电源效率，器件的R(DS(on))可最大限度地减少导通过程中的功率损耗，确保高效运行。该MOSFET经过100% R(g)和UIS测试，保证了可靠性。该器件还增强了功耗并降低了热阻(R(thJC))，使其成为高性能应用的理想选择。

特性

TrenchFET Gen V power MOSFET
非常低的R(DS) x Q(g)性能因数(FOM)
领导R(DS(on))最大限度地减少了传导的功率损失

100% R(g)和UIS测试
提高功耗，降低R(thJC)

应用程序

同步整流
直流/直流转换器
o形环和热插拔开关

电力供应
电机驱动控制
电池管理

应用电路

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