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摘要： 该器件使设计人员能够实现新的功率密度和效率水平。
德州仪器LMG3522R050 650V GaN FET集成驱动和保护，目标是开关模式功率转换器，使设计人员能够实现新的功率密度和效率水平。LMG3522R050集成了一个硅驱动器，可实现高达150Vns的切换速度。TI提供集成的精密栅极偏置，与分立硅栅极驱动器相比，可实现更高的开关SOA。这种集成与TI的低电感封装相结合，在硬开关电源拓扑中提供最小的振铃和干净的开关。可调栅极驱动强度允许从15V/ns到150V/ns的转换速率控制。该控制可用于主动控制电磁干扰和优化开关性能。
先进的电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN场效应管的温度通过可变占空比PWM输出来报告，从而简化了器件负载的管理。报告的故障包括过温、过流和UVLO监控。
650V GaN-on-Si场效应管，集成栅极驱动器
集成高精度栅极偏压
200V/ns FET延迟
3.6MHz开关频率
15V/ns至150V/ns转换速率，优化开关性能和减少电磁干扰
操作从7.5V到18V电源
先进的电源管理
数字温度PWM输出
强大的保护
响应小于100ns的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受720V浪涌
内部超温和UVLO监测的自我保护
顶部冷却12mm×12mm VQFN封装分离电气和热路径最低的功率环路电感
开关模式电源转换器
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商用电信整流器
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