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摘要： 该器件使设计人员能够实现新的功率密度和效率水平。
德州仪器LMG3526R050 650V GaN FET集成驱动和保护，目标是开关模式功率转换器，使设计人员能够实现新的功率密度和效率水平。LMG3526R050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。TI提供集成的精密栅极偏置，导致比分立硅栅极驱动器更高的开关SOA。这种集成与TI的低电感封装相结合，在硬开关电源拓扑中提供最小的振铃和干净的开关。可调栅极驱动强度允许从15V/ns到150V/ns的转换速率控制。该控制可用于控制电磁干扰和主动优化开关性能。
高级功能包括数字温度报告，故障检测和零电压检测(ZVD)。通过可变占空比PWM输出报告氮化镓场效应管的温度。报告的故障包括过温、过流和UVLO监控。当零电压开关(ZVS)实现时，ZVD特性可以从ZVD引脚提供脉冲输出。
650V GaN-on-Si场效应管，集成栅极驱动器
集成高精度栅极偏压
200V/ns FET延迟
3.6MHz开关频率
15V/ns至150V/ns转换速率，优化开关性能和减少电磁干扰
操作从7.5V到18V电源
先进的电源管理
数字温度PWM输出
零电压检测功能，方便软开关转换器
强大的保护
响应小于100ns的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受720V浪涌
内部超温和UVLO监测的自我保护
顶部冷却12mm×12mm VQFN封装分离电气和热路径最低的功率环路电感
开关模式电源转换器
商家网络和服务器PSU
商用电信整流器
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