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摘要： 具有独特的“级联码”电路，常开SiC JFET与Si MOSFET共封装。
Qorvo SiC E1B模块具有独特的“级联编码”电路，将正常导通的SiC JFET与Si MOSFET共封装，从而产生正常关断的SiC FET。Qorvo SiC E1B具有类硅栅极驱动器，支持与Si igbt, Si fet, SiC mosfet或Si超级结器件兼容的单极栅极驱动器。该器件采用E1B模块封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合电感负载切换和需要标准栅极驱动的应用。该模块采用先进的银烧结模具贴附技术，具有优越的热性能。
典型的导通电阻
UHB100SC12E1BC3N R(DS(on)) = 9.4mW
UHB50SC12E1BC3N R(DS(on)) = 19mW
UFB25SC12E1BC3N R(DS(on)) = 35mW
UFB15C12E1BC3N R(DS(on)) = 70mW
出色的反向采收率
UFB15C12E1BC3N Q(rr) = 140nC
UFB25SC12E1BC3N Q(rr) = 244nC
UHB50SC12E1BC3N Q(rr) = 495nC
UHB100SC12E1BC3N Q(rr) = 1000nC
低体二极管电压
Uhb50sc12e1bc3n v (fsd)= 1.2v
Uhb100sc12e1bc3n, ufb15c12e1bc3n, ufb25sc12e1bc3n v (fsd) = 1.4v
低栅极电荷
UFB25SC12E1BC3N Q(G) = 42.5nC
UFB15C12E1BC3N Q(G) = 46nC
UHB50SC12E1BC3N Q(G) = 85nC
UHB100SC12E1BC3N Q(G) = 170nC
5V典型阈值电压VG(th)允许0到15V驱动
低固有电容
HBM 2级和CDM C3级ESD保护
+150°C最高工作温度
电动汽车充电
光伏逆变器
开关电源(SMPS)
功率因数校正模块
感应加热
马达驱动器
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