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摘要： 提供138A连续漏极电流，3.9毫欧在10V RDS(ON)和100V漏源电压。
onsemi NVMFWS004N10MC单n沟道功率mosfet在10V R(DS(ON))和100V漏源电压下提供138A连续漏极电流3.9毫欧。NVMFWS004N10MC采用5mm x 6mm平面引线封装，专为紧凑高效的设计而开发。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽车应用的理想选择。
占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
通过aec - q101认证，具备ppap能力
无铅，无卤/无溴化阻燃，无铍，符合rohs标准
48 v系统
开关电源
电池反保护
电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)
138A最大连续漏极电流
3.9毫欧最大10V R(DS(ON))
100V漏源电压
±20V栅源电压
900A脉冲漏极电流
-55°C至+175°C工作结和存储温度范围
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