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摘要： 采用EliteSiC技术，提供卓越的开关性能。
onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技术，提供卓越的开关性能。与传统的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON电阻和紧凑的芯片尺寸导致低电容和栅极电荷，有助于高效率，快速工作频率，增加功率密度，减少电磁干扰(EMI)，以及更紧凑的系统尺寸。这些mosfet为增强的电力电子应用提供了先进的技术。
符合AEC-Q101汽车标准
100% UIL测试
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通过无铅认证
当V(gs) = 18V, I(d) = 66A时，最大R(DS(on)) = 50毫欧
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