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ONSEMI NVHL015N065SC1

onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-02-29

摘要： 效率高，工作频率快，功率密度高。

onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技术，提供卓越的开关性能和高可靠性。这种SiC MOSFET具有n沟道、高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON电阻和紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。该EliteSiC MOSFET经过100% ul测试，并通过AEC - Q101认证。NVHL015N065SC1 MOSFET具有650V漏源电压和12mohm电阻。典型应用包括汽车牵引逆变器，用于EV/HEV的DC/DC转换器和车载充电器。

特性

R (DS ) = 12米欧姆@V (GS) = 18 v
R (DS(上))= 15 毫欧@V (GS) = 15 v
650V漏源电压
超低栅极电荷(Q(G(t))=283nC)
低电容高速开关(C(损耗)=430pF)

100%雪崩和UIL测试
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
卤化物免费
通过无铅认证

应用程序

车载充电器
用于EV/HEV的汽车DC-DC变换器
汽车牵引逆变器

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