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onsemi NVMFS5C604N单n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2024-03-04

摘要: 具有288A连续漏极电流,1.2毫欧在10V RDS(ON)和60V漏极源电压。

onsemi NVMFS5C604N单n通道功率MOSFET具有288A连续漏极电流,1.2毫欧在10V R(DS(ON))和60V漏源电压。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引线封装,设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能,是汽车应用的理想选择。


特性

  • 占地面积小(5mm x 6mm),设计紧凑

  • 低R(DS(on)),最小化传导损耗

  • 低Q(G)和电容,最大限度地减少驱动器损耗

  • NVMFS5C604NWF -可湿侧翼选项,用于增强光学检查

  • 通过aec - q101认证,具备ppap能力

  • 无铅,符合rohs标准


应用程序

  • 电池反保护

  • 开关电源

  • 电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)


规范

  • 最大连续漏极电流

  • 1.2毫欧最大10V R(DS(ON))

  • 60V漏源电压

  • ±20V栅源电压

  • 900A脉冲漏极电流

  • -55°C至+175°C工作结和存储温度范围


典型的应用程序


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