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摘要： 卓越的性能、可靠性和健壮性。
英飞凌CoolSiC 750V G1 mosfet具有卓越的性能、可靠性和稳健性。英飞凌CoolSiC 750V G1具有灵活的栅极驱动，可实现简化、经济高效的系统设计。mosfet允许优化效率和功率密度。
高度稳健的750V技术
同类最佳R(DS(on)) x Q(fr)
优秀的R(on) x Q(oss)和R(on) x Q(G)
低碳(rss)/碳(iss)和高碳(GSth)
100%雪崩测试
英飞凌贴片技术
硬开关效率高
实现更高的开关频率
更高的可靠性
可承受500V以上母线电压
抗寄生转动的稳健性
单极驾驶
固态继电器(SSRs)
固态断路器(sscb)
电动汽车充电
光伏逆变器
储能系统
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