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摘要： 采用28毫欧低导通电阻设计，采用TO-247-4封装，带开尔文源引脚。
microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET在18V栅源电压下的导通电阻仅为28毫欧。该n沟道MOSFET与流行的D2PAK 4引脚配合良好，并包含开尔文源引脚，可降低开关损耗并显着提高能效。这款SICW028N120A4 MOSFET具有高雪崩坚固性，能够在175°C的高结温下工作。该MOSFET确保了卓越的热性能和高效的热管理，无需额外的冷却组件，同时提高了产品的可靠性和使用寿命。SICW028N120A4 MOSFET是一个强大而可靠的解决方案，适用于在恶劣环境下处理的大量工业和商业应用。
SiC MOSFET技术
1200V阻断电压能力
28毫欧低导通电阻
用于增强开关的开尔文源引脚
雪崩坚固耐用
热稳定性好
高达175°C的高工作结温
d2pak兼容4引脚TO-247-4封装
无卤“绿色”设备
环氧树脂符合UL 94 V-0可燃性等级
无铅完成/通过无铅认证
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