电子元器件产业互联网平台
电子元器件产业互联网平台
一站式电子元器件采购平台
元器件移动商城，随时随地采购
半导体行业观察第一站！
专注电子产业链，
坚持深度原创
电子元器件原材料采购
信息平台
摘要： 栅极驱动器设计用于驱动SiC mosfet和大功率igbt。
IXYS IX4352NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器是栅极驱动器，设计用于驱动SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE栅极驱动器具有独立的9A源和接收输出，允许定制的导通和关断时间，同时最大限度地减少开关损耗。内部负电荷调节器提供用户可选择的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度和更快的关断速度。
去饱和检测电路检测SiC MOSFET过流状态并启动软关断，防止潜在的破坏性dV/dt事件。IN非反相逻辑输入兼容TTL和cmos，内部电平移位器提供必要的偏置以适应负栅驱动偏置电压。IX4352NE保护功能还包括UVLO检测和热关闭。漏极故障输出向微控制器发出故障信号。IXYS IX4352NE采用热增强的16引脚窄SOIC封装。
分离9A峰值源和汇输出
V(DD)-V(SS)工作电压范围高达35V
内部电荷泵调节器为可选的负栅极驱动偏压
饱和检测与软关闭汇驱动程序
TTL和cmos兼容输入
欠压闭锁(UVLO)
热关机
漏极输出
车载充电器
直流-直流转换器
电动汽车充电站
电机控制器
电源逆变器
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证：粤B2-20210308
