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摘要： onsemi的NTBG070N120M3S 1200V M3S SiC mosfet是为速度而设计的，由于采用平面技术，可以摆脱负栅极电压和栅极尖峰。
onsemi的NTBG070N120M3S 1200 V M3S SiC mosfet针对快速开关应用进行了优化。由于平面技术，它们可以摆脱负栅极电压和栅极尖峰。NTBG070N120M3S mosfet在18v时达到峰值性能，但在15v时保持敏捷。
D2PAK-7L包与开尔文源配置
优秀的格式[= R(DS(ON)) * E(OSS)]
超低栅极电荷(Q(g(t)) = 57 nC)
低电容高速开关(C(OSS) = 57pf)
15v到18v栅极驱动
M3S技术:65 毫欧 R(DS(ON))，低E(ON)和E(off)损耗
100%雪崩测试
无卤化物，符合RoHS标准
工业
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