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摘要： onsemi的1700 V M1 SiC mosfet可以轻松处理负栅极电压和尖峰，以满足高速需求。
onsemi的1,700 V M1 SiC mosfet采用平面技术供电，可处理负栅极电压和尖峰，以满足高速需求。峰值性能等待在20v，但平稳运行，即使在18v。1,700 V M1 SiC mosfet利用平面技术来控制负栅极电压和栅极尖峰，速度非常快。
D2PAK-7L封装低共源电感
18v到20v栅极驱动
1700 V M1技术:28 毫欧 R(DS(ON))，低E(ON)和E(OFF)损耗
100%雪崩测试
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