Vishay的80 V对称双n通道功率MOSFET将高侧和低侧TrenchFET Gen IV MOSFET集成在一个3.3 mm × 3.3 mm的PowerPAIR 3x3FS封装中。对于工业和电信应用中的功率转换，Vishay的SiZF4800LDT提高了功率密度和效率，同时增强了热性能，减少了组件数量，简化了设计。双MOSFET可用于取代PowerPAK 1212封装中的两个分立器件，节省50%的电路板空间。SiZF4800LDT在4.5 V时的典型导通电阻比PowerPAIR 3x3FS中的上一代器件低25%，比相同封装尺寸的最接近的竞争器件低16%。与PowerPAIR 3x3FS中的器件相比，MOSFET的倒装芯片技术提供了43%的低热阻。独特的引脚配置可简化PCB布局，并支持缩短开关回路，以最大限度地减少寄生电感。