摘要: onsemi的NVBG EliteSiC mosfet以较小的封装尺寸提供高速开关和低电容。
onsemi的EliteSiC MOSFET在节省空间的设计中提供闪电般快速的开关,静音功率。EliteSiC运行平稳,保持信号干净,环境和平,同时提供惊人的速度和永不妥协的可靠性。
低导通电阻和微小的足迹收缩电容和栅极电荷,包装在一个小的包装。EliteSiC压缩每一滴电力,最大限度地提高效率,减少运营成本和能源浪费。
AEC-Q101合格
额定电压:650v ~ 1700v
高速开关
低电容
100% UIL测试
通过无铅认证
大功率DC/DC应用
逆变器
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