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摘要： onsemi的NTBG040N120M3S 1200 V M3S SiC MOSFET在18 V栅极驱动下实现峰值效率，并在15 V时保持令人满意的性能。
onsemi的1200 V M3S碳化硅(SiC) MOSFET利用平面技术在负栅极电压和瞬态栅极电压漂移下稳健工作。它达到峰值效率与18v栅极驱动，但保持令人满意的性能在15v。
D2PAK-7L包与开尔文源配置
卓越品质指数(FOM) (= R(DS(ON)) x E(OSS))
超低栅极电荷(Q(G(TOT)) = 75 nC)
低电容高速开关(C(OSS) = 80pf)
15v到18v栅极驱动
M3S技术:40 毫欧 R(DS(ON))，低E(ON)和E(OFF)损耗
100%雪崩测试
无卤化物，符合RoHS标准
工业
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