碳化硅(SiC) mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-04-15

摘要： onsemi的M3S EliteSiC MOSFET具有优化的性能，可用于快速开关应用，最大限度地提高效率并最大限度地减少能量损失。

Onsemi的M3S EliteSiC MOSFET具有优化的性能，可用于快速开关应用，最大限度地提高效率并最大限度地减少能量损失。这些1200 V SiC mosfet可防止电风暴，即使在最苛刻的环境中也能提供稳定的稳定性和控制。M3S EliteSiC在-10 V栅极偏置下无缝工作，确保可靠的性能和平稳的开关周期。其优化设计和低开关损耗转化为无与伦比的效率，节约能源和降低冷却要求。这些mosfet在18v栅极驱动下提供最佳性能，但在15v驱动下也能完美工作，无缝适应现有系统。M3S EliteSiC代表了SiC技术的前沿，确保用户的设计为未来的需求做好准备。

特性

D2PAK-7L包与开尔文源配置
优秀的form (= R(DS(ON)) * E(OSS))
超低栅极电荷(Q(G(TOT)) = 107 nC)
低电容高速开关(C(OSS) = 106 pF)

15v到18v栅极驱动
M3S技术:29 mOhm R(DS(ON))，低E(ON)和E(OFF)损耗
100%雪崩测试
无卤化物，符合RoHS标准

应用程序

工业

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