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onsemi NTMFS0D7N04XM单n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2024-04-28

摘要: 标准40V栅极级功率MOSFET,导通电阻,适用于电机驱动应用。

onsemi NTMFS0D7N04XM单n沟道功率MOSFET是一款标准的40V栅极级功率MOSFET,具有领先的导通电阻,适用于电机驱动器应用。较低的导通电阻和栅极电荷可以减少传导和驱动损耗。体二极管反向恢复的良好柔软控制可以减少电压尖峰应力,而无需在应用中额外的缓冲电路。


特性

  • 低R(DS(on)),最小化传导损耗

  • 低电容,最大限度地减少驱动器损耗

  • 占地面积小(5mm x 6mm),设计紧凑

  • 不含铅,不含卤素/ bfr,符合rohs标准


应用程序

  • 马达驱动器

  • 电池保护

  • o型环


规范

  • 最大漏源电压40V

  • ±20V最大栅源电压

  • 38.a至323A最大连续漏极电流范围

  • 最大功耗134W

  • 2201A最大脉冲漏极电流

  • 202A最大体二极管源电流

  • 987mJ最大单次雪崩能量

  • 72.1nC典型总栅极电荷

  • 13.6nC典型阈值栅电荷

  • 20.6nC典型栅源电荷

  • 13.3nC典型栅漏电荷

  • 139nC典型反向回收电荷

  • -55°C至+175°C工作结温范围

  • 典型开关时间

    • 25.8ns开启延迟

    • 8.12 ns上升

    • 39.1ns关断延迟

    • 6.32 ns下降

  • 典型的功放

    • 4621 pf输入

    • 3328 pf输出

    • 68.2pF反向传递

  • 热阻

    • 1.11°C / W junction-to-case

    • 39.3°C / W junction-to-ambient

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