摘要: AEC-Q101合格n沟道MOSFET采用分栅沟槽技术,RDS(on)仅为11毫欧。
MCC mccu62n10yhe3 AEC-Q101合格n沟道MOSFET采用分栅沟槽技术,RDS(on)仅为11毫欧。我们的AEC-Q101合格组件可承受恶劣的汽车环境,可处理62A电流,工作结温高达+175°C。绿色MCU62N10YHE3的最大漏源电压为100V,最大栅极电压为±20V,最大总功耗为94W。超紧凑的包装和理想的处理创造了一个有效的解决方案,不仅仅是汽车行业。工程师可以依靠其强大的功能,为消费者,工业和可再生能源的应用。
AEC-Q101合格
分栅沟槽MOSFET技术
高热性能
切换速度快
强大的电源处理能力
只有11毫欧的RDS(on)才能提高效率
62A电流能力确保性能
紧凑,坚固的DPAK (TO-252)封装类型
结温高达+175°C,在恶劣条件下的可靠性
湿度敏感等级(MSL
环氧树脂符合UL 94V-0可燃性等级
无卤素,绿色设备
无铅完成
符合rohs标准(以“P”后缀指定)
汽车
电池管理系统(BMS)
照明控制
马达驱动器
直流-直流转换器
工业
电源供应单元(psu)
电机控制
可再生能源
可再生能源系统
太阳能逆变器
消费者
消费设备
便携式充电器
最大漏源电压100V
±20V最大栅源电压
最大连续漏极电流
62A +25°C
+100℃下44A
最大脉冲漏极电流
最大总功耗94W
75mJ最大单脉冲雪崩能量
最大热阻
50°C / W junction-to-ambient
1.6°C / W junction-to-case
-55°C至+175°C工作结温范围
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