摘要: 小信号20V双n沟道MOSFET精心设计的高速开关。
微商用元件(MCC) SI3134KU6小信号双n沟道MOSFET是为高速开关精心设计的20V器件。超紧凑的DFN1010封装仅占用1mm x 1mm的空间,同时提供低输入栅极电荷和高达2kV的esd保护栅极输入。SI3134KU6 MOSFET利用沟槽低压MOSFET技术和MCC可靠性,为用户提供主板,充电电路,自动化控制等理想组件。
沟槽低压MOSFET技术
紧凑1mm × 1mm, DFN1010封装
低栅极电荷
250欧姆RDS(上)
理想的高速交换
增强耐用性
节能设计
高达2KV ESD保护(HBM)
湿度敏感等级(MSL
环氧树脂符合UL 94V-0可燃性等级
无卤素,绿色设备
无铅完成
符合rohs标准(以“P”后缀指定)
消费者
智能手机和平板电脑电源管理
便携式设备充电电路
计算
主板稳压模块
高速计算接口驱动程序
工业
自动化机械控制系统
工业传感器接口
电信。高速数据传输用线路驱动器
最大漏源电压20V
±10V最大栅源电压
最大连续漏极电流
0.75A, +25°C
+100°C时0.47A
3A最大脉冲漏极电流
最大功耗0.42W
1.2nC栅极电荷
5.7ns下降时间
5.2ns上升时间
典型关断延迟时间为10.5ns
5.4ns典型导通延时时间
最大结对环境热阻300°C/W
-55℃~ +150℃工作结温范围
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