SICW028N120A4-BP 1200 V SiC MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-05-07

摘要： MCC的SICW028N120A4-BP 1200 V SiC MOSFET是电源管理应用中工业和商业器件的理想选择。

MCC的SICW028N120A4-BP高性能1200 V SiC n沟道MOSFET在18 V栅源电压下具有令人印象深刻的28 毫欧低导通电阻，设计用于要求苛刻的高功率应用。

该MOSFET封装在TO-247-4封装中，与D2PAK 4引脚配合良好，并包括开尔文源引脚，可显着降低开关损耗并提高能效。高达+175°C的高工作结温和出色的热稳定性确保了SiC MOSFET将在各种必须在恶劣条件下运行的工业和商业设备中提供电源管理。

特性

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