PANJIT的650 V IGBT高速系列，与快速和软恢复反并行二极管共同封装，致力于在性能和质量方面追求最高标准。它们采用最新的场止槽栅技术设计，以实现高效率、低损耗和节能。该系列具有卓越的高速开关和+175°C的最高结温，以及T(VJ) +25°C时1.65 V的低饱和电压。它采用to -247- 3l通孔封装，非常适合用于UPS系统、工业电机、电动汽车充电器、光伏逆变器、焊机和家用电器等应用。

特性

• V(CE(sat)) -开关损耗权衡改进

• IGBT高速系列在E(ON)(导通能量)和E(OFF)(关断能量)中处于优势地位。

• IGBT, FWD优化为大约fc = 20 kHz操作

• 结温高:+175°C

• 理想的三电平逆变器，桥式逆变器，和PFC电路