onsemi NTMFS3D0N08X单n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-05-07

摘要： 适用于云电源、5G电信、其他PSU应用、DC/DC和工业应用。

onsemi NTMFS3D0N08X单n通道功率MOSFET是一款80V T10标准栅极MOSFET，适用于云电源、5G电信和其他PSU应用，以及DC/DC和工业应用。NTMFS3D0N08X提供了更好的性能，提高了系统效率和高功率密度，但具有以下性能特点。该MOSFET提高了整体效率，改善了开关损耗，减少了振铃/超调/噪声，并在快速开关应用中提高了雪崩的坚固性。

特性

低Q(RR)，软恢复体二极管
低R(DS(on))，最小化传导损耗

低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
不含铅，不含卤素/ bfr，符合rohs标准

应用程序

DC-DC和AC-DC同步整流(SR)
隔离型DC-DC变换器中的主开关
马达驱动器

规范

最大漏源电压80V
±20V最大栅源电压
最大连续漏极电流范围109A至154A
最大功耗133W
634A最大脉冲漏极/源电流
201A最大体二极管源电流
最大单脉冲雪崩能量140mJ
最大栅源漏电流100nA
2.6毫欧至5.2毫欧最大漏源电阻范围
2.4V至3.6V栅极阈值电压范围
115S典型正向跨导
66nC典型输出电荷
28nC至45nC的典型总栅极电荷范围
10nC典型阈值栅电荷
15nC典型栅源电荷
7nC典型栅极-漏极电荷

4.7V典型栅平台电压
0.8欧姆典型栅电阻
典型切换时间

24ns导通延迟
8 ns上升
35ns关断延迟
6 ns下降

典型的功放

3200 pf输入
930 pf输出
14pF反向转移

热阻

1.12°C / W junction-to-case
39°C / W junction-to-ambient

-55°C至+175°C工作结温范围

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