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摘要： 汽车功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引脚SO8-FL封装，设计紧凑高效。
onsemi NVMFS4C306N功率mosfet提供30V漏源电压，3.4毫欧 R(DS(ON))和71A连续漏极电流。汽车功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引脚SO8-FL封装，设计紧凑高效。
onsemi NVMFS4C306N功率mosfet具有可湿性侧面选项，可用于增强光学检测。NVMFS4C306N通过aec - q101认证，支持ppap，是汽车应用的理想选择。
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低电容，最大限度地减少驱动器损耗
优化栅极电荷，使开关损耗最小化
通过aec - q101认证，具备ppap能力
NVMFS4C306NWF -可湿侧翼选项，用于增强光学检查
不含铅，不含卤素/ bfr，符合rohs标准
电池反保护
DC-DC变换器输出驱动器
71A最大连续漏极电流
10V时3.4毫欧和4.5V时4.8毫欧 (DS(ON))最大值
30V漏源电压
±20V栅源电压
166A脉冲漏电流
-55°C至+175°C工作结和存储温度范围
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