ix4352ne9a低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-05-20

摘要： IXYS (Littelfuse Technology)的IX4352NE 9a低侧栅极驱动器专为驱动SiC mosfet和大功率igbt而设计。

Littelfuse公司IXYS的IX4352NE栅极驱动器专为驱动SiC mosfet和大功率igbt而设计。独立的9a源和汇输出允许定制的接通和关断时间，同时最大限度地减少开关损耗。内部负电荷调节器提供用户可选择的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度和更快的关断速度。

去饱和检测电路检测SiC MOSFET的过流状态并启动软关断，从而防止潜在的破坏性dV/dt事件。非反相逻辑输入，IN，是TTL和CMOS兼容;内部电平移位器提供必要的偏置，以适应负栅极驱动偏置电压。额外的保护功能包括欠压锁定(UVLO)检测和热关闭。漏极故障输出向微控制器发出故障信号。

特性

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