Microchip Technology 23AA02M/23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI ram的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-05-20

摘要： 通过串行外设接口(SPI)访问的随机存取存储器设备。

Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI sram是随机存取存储器设备，可通过串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问。sram具有2048k位低功耗和单电压读/写操作。设备支持串行双接口(SDI)和串行四接口(SQI)，以获得更快的数据速率和143MHz的高速时钟频率。SRAM内置ECC (Error Correction Code)逻辑，保证了高可靠性。Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI sram提供256 x 8位组织，具有字节，页面和顺序模式，用于读写。SRAM具有无限的读写周期和外部电池备份支持。这些设备不含卤素，符合rohs标准。

特性

2048k位低功耗SRAM
单电压读写操作

1.7 ~ 3.6V (23AA02M)
2.2V至3.6V (23LCV02M)

串行接口架构

SPI模式0和3兼容
支持SDI和SQI

143MHz高速时钟频率
高可靠性，内置ECC (Error Correction Code)逻辑
低功耗

SPI/SDI/SQI的最大有效读电流为3mA (40MHz, 3.6V)
+25°C时的典型待机电流为70µA

无限的读写周期
外部电池备份支持
零写入时间
组织

256 x 8位
用户选择32字节或256字节的页面大小

读和写的字节、页和顺序模式
包选项

8导联PDIP, 8导联SOIC和8导联TSSOP
PDIP 14铅，SOIC 14铅，TSSOP 14铅

无卤通过无铅认证

规范

3.9V(cc)绝对额定电压
3mA最大有效读电流
70μ典型待机电流
256K × 8内存组织
-0.3V到V(CC)+0.3V所有输入输出w.r.t

143MHz最大时钟频率
7pF输入电容
2kV ESD保护
环境温度范围-40℃~ +85℃
-65℃~ +150℃存储温度范围

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