摘要: 通过串行外设接口(SPI)访问的随机存取存储器设备。
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI sram是随机存取存储器设备,可通过串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问。SRAM具有4096k位低功耗和单电压读写操作。23AA04M和23LCV04M支持串行双接口(SDI)和串行四接口(SQI),以实现更快的数据速率和143MHz的高速时钟频率。内置ECC (Error Correction Code)逻辑,保证了高可靠性。Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI sram提供256 x 8位组织,具有字节,页面和顺序模式,用于读写。SRAM具有无限读/写周期和外部电池备份支持。这些设备不含卤素,符合rohs标准。
4096k位低功耗SRAM
单电压读写操作
1.7 ~ 3.6V (23AA04M)
2.2V至3.6V (23LCV04M)
串行接口架构
SPI模式0和3兼容
支持SDI和SQI
143MHz高速时钟频率
高可靠性,内置ECC (Error Correction Code)逻辑
无限的读写周期
外部电池备份支持
零写入时间
低功耗
SPI/SDI/SQI的6mA最大有效读电流(在40MHz, 3.6V)
+25°C时的典型待机电流
256 × 8位组织
用户选择32字节或256字节的页面大小
读和写的字节、页和顺序模式
包选项
8导联PDIP, 8导联SOIC和8导联TSSOP
PDIP 14铅,SOIC 14铅,TSSOP 14铅
无卤素,符合rohs标准
3.9V(cc)绝对额定电压
6mA最大有效读电流
140μ典型待机电流
4096年kbits密度
-0.3V到V(cc)+0.3V所有输入和输出w.r.t
143MHz最大时钟频率
2kV ESD保护
环境温度范围-40℃~ +85℃
-65℃~ +150℃存储温度范围
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