摘要: 采用分栅沟槽MOSFET技术的AEC-Q101合格n沟道MOSFET。
MCC MCB70N15YHE3 AEC-Q101合格n沟道MOSFET采用分栅沟槽MOSFET技术,适用于汽车和工业应用。专为高功率应用而设计,这种耐用且功能强大的组件确保了多功能D2PAK封装的效率和可靠性。坚固的结构和低结壳热阻提供出色的热性能和高达+175°C的操作结能力。绿色MCB70N15YHE3最大漏源电压为150V,最大栅极电压为±20V,最大总功耗为180W。
AEC-Q101合格
分栅沟槽MOSFET技术
优异的热性能
17毫欧的RDS(on)低
效率高
切换速度快
最佳功率密度
高功率密度D2-PAK封装型
湿度敏感等级(MSL
环氧树脂符合UL 94V-0可燃性等级
结温高,可达+175°C
无卤素,绿色设备
无铅完成
符合rohs标准(以“P”后缀指定)
汽车
电池管理系统(BMS)
照明控制系统
电动和混合动力汽车的马达驱动
用于汽车电子的DC-DC转换器
工业
马达驱动器
直流-直流转换器
最大漏源电压150V
±20V最大栅源电压
最大连续漏极电流
+25°C时70A
+100℃下49A
280A最大脉冲漏极电流
最大总功耗180W
200mJ最大单脉冲雪崩能量
最大热阻
50°C / W junction-to-ambient
0.83°C / W junction-to-case
-55°C至+175°C工作结温范围
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