1700v SiC MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-05-27

摘要： 微商公司的SICW400N170A-BP MOSFET具有超低导通电阻400 毫欧和高阻断电压能力。

mcs SICW400N170A-BP 1700 V SiC MOSFET旨在提高一系列应用中的功率转换，该MOSFET具有超低导通电阻400 毫欧和高阻断电压能力。

SiC MOSFET可实现高速开关，同时确保最小的传导损耗，这是优化频率相关系统的基本要求。

标准而耐用的TO-247AB封装可在20v的门源电压下有效工作，具有卓越的热稳定性和+175°C的工作结温。

这种在恶劣条件下坚定不移的可靠性只会增加组件的吸引力和各种高压应用的多功能性，包括电动汽车充电站和可再生能源系统。

特性

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