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摘要： 设计用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关的快速开关。
onsemi NCP51752隔离单通道栅极驱动器设计用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关的快速开关。NCP51752提供4.5A源/9A吸收峰值电流和短/匹配的传播延迟。为了提高可靠性，dV/dt抗扰度和更快的关断速度，NCP51752具有创新的嵌入式负偏置导轨机制。onsemi驱动器提供其他必要的保护功能，例如两侧驱动器的独立欠压锁定。无论V(EE)水平如何，其V(CC) UVLO阈值都参考GND2的真实UVLO。NCP51752采用4mm SOIC-8封装，可支持高达3.75kV(RMS)的隔离电压。
选项
V(CC) UVLO参考GND2
内置负偏置在GND2和V(EE)引脚之间
可选择的负偏置水平通过修剪
输入电源电压3V至20V
输出电源电压从6.5V到30V，其中MOSFET为6V和8V, SiC为12V和17V，阈值
4.5A峰值源，9A峰值汇输出电流能力
最小CMTI为200V/ns dV/dt
输入引脚负5V处理能力
典型传播延迟为36ns，最大延迟匹配为5ns
隔离和安全
3.75kV(RMS)隔离1分钟(按照UL1577要求)(计划)
GB4943.1-2011 CQC认证(计划)
符合IEC 62386-1的SGS FIMO认证(计划)
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